Валишева Наталья Александровна (RU)
Изобретатель Валишева Наталья Александровна (RU) является автором следующих патентов:
![Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/fab085efe81fd6dbca57dfbb4fb4334b.jpg)
Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе мдп-структур
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...
2354007![Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников](https://img.patentdb.ru/i/200x200/442b982fee17da8858fb74cc29f652de.jpg)
Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осу...
2367055![Способ формирования висящих конструкций Способ формирования висящих конструкций](https://img.patentdb.ru/i/200x200/eb4ea0d7a32223f9590343ac5638651f.jpg)
Способ формирования висящих конструкций
Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуем...
2367591![Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/28b546c0b176f0eaf8a1cce6b25da25e.jpg)
Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, их гибридной сборке и преимущественно предназначено для сборки фотоприемных модулей. Сущность изобретения: в способе формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения на подложке литографически изготавливают заготовки контактных столбов из индия, затем помещают в вакуум, в котором формируют поток атом...
2392690![Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на базе мдп-структур полупроводниковых соединений Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на базе мдп-структур полупроводниковых соединений](/img/empty.gif)
Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на базе мдп-структур полупроводниковых соединений
Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при изготовлении приемников ИК-излучения. На подложке InAs формируют слоистую структуру, содержащую подзатворный диэлектрик (SiO2). Последовательно изготавливают на подзатворном диэлектрике затворы и контактные столбы (In). Затворы выполняют в виде последовательности слоев: слой материала, формирующего непосредственно затвор...
2441299![Способ изготовления мдп-структур на основе inas Способ изготовления мдп-структур на основе inas](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f44506f42a47e392da0f38f03478d73c.jpg)
Способ изготовления мдп-структур на основе inas
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подло...
2611690![Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией](/img/empty.gif)
Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полн...
2613487![Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии](/img/empty.gif)
Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложк...
2642879