Вицина Наталья Рэмовна (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при изготовлении приемников ИК-излучения. На подложке InAs формируют слоистую структуру, содержащую подзатворный диэлектрик (SiO2). Последовательно изготавливают на подзатворном диэлектрике затворы и контактные столбы (In). Затворы выполняют в виде последовательности слоев: слой материала, формирующего непосредственно затвор...