Ионин Андрей Алексеевич (RU)
Изобретатель Ионин Андрей Алексеевич (RU) является автором следующих патентов:
Активная среда для электроразрядного со-лазера или усилителя и способ ее накачки
Активная среда для электроразрядного СО лазера или усилителя на основе газовых смесей содержит рабочий газ СО, буферные газы Не или Ar, а также добавленные двухатомные газы. Молекулы добавленных двухатомных газов имеют энергию колебательного перехода 0→1 основного электронного состояния меньше 1800 см-1, при этом их количество составляет от 0.2 до 80 по отношению к количеству молекул СО. Способ...
2354019Способ создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза, устройство для его осуществления (варианты) и устройство для детектирования указанного изображения
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Внутри алмаза в области, свободной от оптически непроницаемых неоднородностей, создают изображение, состоящее из заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, представляющих собой...
2465377Способ формирования субдифракционной квазирегулярной одно-и двумерной нанотекстуры поверхности материалов и устройство для его осуществления
Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить пространственное разрешение способа субдифракционного одно- и двумерного нанотекстурирования поверхнос...
2534454Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния
Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного микроструктурирования. Затем для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы микроструктуриро...
2550868Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния
Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности крем...
2646644