Селезнев Леонид Владимирович (RU)
Изобретатель Селезнев Леонид Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
Активная среда для электроразрядного со-лазера или усилителя и способ ее накачки
Активная среда для электроразрядного СО лазера или усилителя на основе газовых смесей содержит рабочий газ СО, буферные газы Не или Ar, а также добавленные двухатомные газы. Молекулы добавленных двухатомных газов имеют энергию колебательного перехода 0→1 основного электронного состояния меньше 1800 см-1, при этом их количество составляет от 0.2 до 80 по отношению к количеству молекул СО. Способ...
2354019Способ создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза, устройство для его осуществления (варианты) и устройство для детектирования указанного изображения
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Внутри алмаза в области, свободной от оптически непроницаемых неоднородностей, создают изображение, состоящее из заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, представляющих собой...
2465377Способ формирования субдифракционной квазирегулярной одно-и двумерной нанотекстуры поверхности материалов и устройство для его осуществления
Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить пространственное разрешение способа субдифракционного одно- и двумерного нанотекстурирования поверхнос...
2534454Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния
Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного микроструктурирования. Затем для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы микроструктуриро...
2550868