Коноплев Б.Г.

 Изобретение относительно к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам цифровых БИС. Цель изобретения уменьшение занимаемой площади, повышение быстродействия, нагрузочной способности и помехоустойчивости интегрального логического элемента и устройства на его основе, а также снижение затрат на проектирование микросхем в ц...

 Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно к интегральным логическим элементам цифровых БИС. С целью уменьшения занимаемой площади, повышения быстродействия, нагрузочной способности и помехоустойчивости интегрального логического элемента и устройств на его основе в него введена расположенная в горизонтальной плоскости сквозная транзитная ш...

 Использование: изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике. Сущность изобретения: в интегральный логический элемент введены зона транзита, содержащая поликремниевую транзитную шину, и соединенная с поликремниевой выходной шиной металлическая П-образная выходная шина перпендикулярная поликремниевым шинам, причем расположенные между шинами питания и нулевого по...

 Использование: в вычислительной технике и интегральной электронике. Сущность изобретения: в интегральный логический элемент для уменьшения занимаемой площади и повышения быстродействия устройств на его основе, а также снижения затрат на проектирование микросхем в целом введены управляющая зона, содержащая транзистор второго типа проводимости, затвор которого выполнен в виде входной управл...

 Использование: в вычислительной технике и интегральной электронике, а именно при проектировании БИС и СБИС на основе арсенида галлия. Сущность изобретения: логический элемент содержит полупроводниковую полуизолирующую подложку собственного типа проводимости 1, металлическую шину питания 2 и первую металлическую шину нулевого потенциала 3, нормально открытый нагрузочный транзистор 4 с кана...

 Использование: изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, преимущественно к интегральным логическим элементам БИС. Сущность изобретения: в интегральный логический элемент введены металлические шины питания и нулевого потенциала, входная и выходная зоны, содержащие поликремниевые шины, управляющие зоны с прямым и инверсным управлением, транзистные зоны и две...

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Сущность изобретения: интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, область рекристаллизованного кремния вт...

 Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, помехоустойчивости и степени автоматизации проектирования в интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными...

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС. Целью изобретения является сокращение занимаемой площади и повышение быстродействия. Элемент содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, зону питания, зону нулевого поте...

 Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС и, в частности, к логическому элементу И-ИЛИ-НЕ на комплиментарных нормально закрытых полевых транзисторах с управляющими переходами Шоттки. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, уменьшения потребляемой мощности и энергии переключен...

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Сущность: в полевой транзистор Шоттки со статической индукцией, содержащий полупроводниковую область стока второго типа проводимости, полупроводниковую область истока второго типа проводимости, металлический контакт стока, расположенный...

 Изобретение относится к области измерительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам направления и величины магнитных полей и магнитных потоков. Интегральный биполярный магнитотранзистор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней четырьмя скрытыми полупроводниковыми областями четырех коллекторо...