Рындин Е.А.

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Сущность изобретения: интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, область рекристаллизованного кремния вт...

 Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, помехоустойчивости и степени автоматизации проектирования в интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными...

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС. Целью изобретения является сокращение занимаемой площади и повышение быстродействия. Элемент содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, зону питания, зону нулевого поте...

 Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС и, в частности, к логическому элементу И-ИЛИ-НЕ на комплиментарных нормально закрытых полевых транзисторах с управляющими переходами Шоттки. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, уменьшения потребляемой мощности и энергии переключен...

 Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Сущность: в полевой транзистор Шоттки со статической индукцией, содержащий полупроводниковую область стока второго типа проводимости, полупроводниковую область истока второго типа проводимости, металлический контакт стока, расположенный...