Супоненко Александр Николаевич (RU)

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Способ включает формирование покрытия путем нанесения соединений кальция, магния, стронция, бария или их смесей на внутреннюю и/или внешнюю поверхности боковых стенок и донной части предварительно нагретого кварцевого тигля с последующей термообработкой, при этом формирование покрытия ведут с использованием ра...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Способ включает формирование покрытия нанесением соединений металлов на внутреннюю и/или внешнюю поверхности боковых стенок и донной части предварительно нагретого кварцевого тигля, при этом формирование покрытия осуществляют с использованием растворов или суспензий соединений циркония и/или гафния, в которые вводят поверхно...

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Трихлорсилан, полученный гидрохлорированием технического кремния, очищают от высококипящих соединений, включая метилдихлорсилан, ректификацией в одной колонне при соотношении концентраций трихлорсилана и метилдихлорсилана в кубовой жидкости, равном 23-30. Изобретение позволяет получать трихлорсилан с содержанием метилд...

Изобретения могут быть использованы для получения товарного пирогенного диоксида кремния при промышленной утилизации кремнийсодержащих отходов. Для осуществления способа в реакционное пространство через многоканальное коаксиальное смесительное устройство подают поток компонентов, образующих гидролизное пламя, вводят диспергированные жидкие и газообразные отходы производства трихлорсилана, содержа...