Тарадей Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Способ заключается в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенными в ней тепловым узлом и полой...