PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ефименко Людмила Павловна (RU)

Изобретатель Ефименко Людмила Павловна (RU) является автором следующих патентов:

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала

Изобретение относится к композициям, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов на основе титаната бария, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности. Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала включает нитрат бария и дополнительно содержит аморфный гидроксид титана и нитрат калия при следующем соотношении компонентов, мол.%: Ва(NO3)2 - 10,...

2356838

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала

Изобретение относится к композициям на основе титаната висмута, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для усовершенствования перепрограммируемых запоминающих устройств, а также в акусто- и оптоэлектронике для модернизации радиотехнических конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей и фильтров, гидроакустических устройст...

2374207

Состав композиции для получения отражающего покрытия

Состав композиции для получения отражающего покрытия

Изобретение может быть использовано в лазерной технике, в медицинских, спектрофотометрических и гелиотехнических приборах, работающих в видимой и ИК областях спектра света. Состав композиции для получения отражающего покрытия содержит в качестве связующего жидкое стекло, а в качестве наполнителя - диоксид циркония и оксид магния с размером частиц 80-120 нм при следующем соотношении компонентов, м...

2394055

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала титаната бария-стронция

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала титаната бария-стронция

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала титаната бария-стронция предназначен для получения сегнетоэлектрических материалов и может быть использован в области радиоэлектронной промышленности, например, в качестве конденсаторов малых линейных размеров. Шихта для получения сегнетоэлектрического материала состава Ba0,8Sr0,2TiO3 включает нитрат бария, нанокристаллический диокс...

2571478

Способ изготовления защитного покрытия и шихта для его осуществления

Способ изготовления защитного покрытия и шихта для его осуществления

Способ изготовления защитного покрытия и состав шихты относятся к технологии получения защитных покрытий и составов шихты для них и могут быть использованы в металлургической, космической, ядерной технике, стекольной, химической, радиоэлектронной промышленности, а также в энергетике и машиностроении. Технический результат заключается в снижении температуры формирования защитного слоя. Способ получ...

2613645