Кудряшов Дмитрий Александрович (RU)
Изобретатель Кудряшов Дмитрий Александрович (RU) является автором следующих патентов:
Способ определения парциальных токов активного растворения металла, образования и растворения анодного осадка на его поверхности
Предлагаемый способ относится к области электрохимии. Способ определения парциальных токов активного растворения металла, образования и химического растворения анодного осадка на его поверхности заключается в том, что подготовленный вращающийся дисковый электрод с кольцом (ВДЭсК) помещают в электрохимическую ячейку, заполненную рабочим раствором и содержащую два вспомогательных электрода и два э...
2357238Способ изготовления гетероструктуры для фотопреобразователя на основе арсенида галлия на германиевой подложке
Способ изготовления гетероструктуры для фотопреобразователя на основе арсенида галлия на германиевой подложке методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений заключается в отжиге германиевой подложки в потоке водорода, стабилизации поверхности германия с преобразованием моноатомных ступеней в двухтомные, выращивании первого слоя GaAs на германии, выращивании второго слоя GaAs поверх...
2422944Способ полирования полупроводниковых материалов
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей компози...
2457574Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки. Удаление оксида с поверхности германия осуществляют погружением подложки в раствор соляной кислоты с к...
2483387Фотоэлектрический преобразователь на основе полупроводниковых соединений a2b4c5 2, сформированных на кремниевой подложке
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за счет введения в состав фотопреобразователя близких по параметру решетки с кремнием слоев на основе много...
2624831