Арбузов Юрий Дмитриевич (RU)
Изобретатель Арбузов Юрий Дмитриевич (RU) является автором следующих патентов:
![Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/beb1535198961af9db7da86ff0a293f8.jpg)
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления
Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, полупроводниковые слои, просветляющее покрытие, металлические контакты. При этом согласно изобретению на ли...
2357325![Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) и способ его изготовления (варианты) Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) и способ его изготовления (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/038d1938b6e2682a92b942236142a0ee.jpg)
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) и способ его изготовления (варианты)
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит двухстороннюю рабочую поверхность, подложку, полупроводниковые планарные слои p- и n-типа, просветляющее покрытие и металлические контакты с двух сторон генератора. Конфигурация и площадь контактов на тыльной стороне совпадают в плане с конфигурацией и площадью контактов с рабочей стороны. Толщина базовой области не превышает диффузионную дл...
2371811![Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора (варианты) Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/36576019faa7681805f815cd138ace99.jpg)
Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора (варианты)
Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора включает формирование многослойной структуры методом эпитаксиального выращивания слоев на полупроводниковой подложке, формирование металлизации, нанесение просветляющего покрытия, присоединение токоотводов. Между p+-n(n+) слоям выращивают тонкие сильнолегированные слои p+ типа толщиной менее 1 мкм с концентрацией активной приме...
2371812![Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления](/img/empty.gif)
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, диодную структуру из полупроводниковых слоев, просветляющее покрытие, металлические контакты, состоит из множества осажденных на подложке слоев, образующих диодные планарные n+-p-p+ (р+-n-n+); n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Слои одного типа содержат металлические нанокластеры ра...
2373607![Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ee34dbcc52d4578db8e87b75d1d58eb7.jpg)
Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках
Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках включает подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувс...
2463616![Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/489f34589b3cf3cabe2715e0e584c5b4.jpg)
Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления
Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта содержит рабочую поверхность, на которую поступает излучение, полупроводниковую базовую область с одним типом проводим...
2463617![Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения и способ его изготовления Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/edc41df889012bea5509806558a943ad.jpg)
Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения и способ его изготовления
Фотоэлектрический модуль солнечного концентрированного излучения относится к гелиотехнике и касается создания солнечных модулей с фотоэлектрическими и тепловыми приемниками и концентраторами солнечного излучения в виде параболоцилиндров. Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения состоит из параболоцилиндрического концентратора и линейчатого фотоэл...
2591747![Концентратор солнечной энергии Концентратор солнечной энергии](/img/empty.gif)
Концентратор солнечной энергии
Изобретение может использоваться в гелиотехнике, в частности, в концентраторах солнечной энергии. Концентратор содержит симметричную отражающую поверхность, выполненную в виде фоклина, и прямоугольное выходное окно для размещения приемника излучения, совпадающее с фокальным пятном концентратора. Степень концентрации в каждой точке фокального пятна одинакова. Отражающая поверхность состоит из плоск...
2638096