Евдокимов Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, полупроводниковые слои, просветляющее покрытие, металлические контакты. При этом согласно изобретению на ли...

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит двухстороннюю рабочую поверхность, подложку, полупроводниковые планарные слои p- и n-типа, просветляющее покрытие и металлические контакты с двух сторон генератора. Конфигурация и площадь контактов на тыльной стороне совпадают в плане с конфигурацией и площадью контактов с рабочей стороны. Толщина базовой области не превышает диффузионную дл...

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора включает формирование многослойной структуры методом эпитаксиального выращивания слоев на полупроводниковой подложке, формирование металлизации, нанесение просветляющего покрытия, присоединение токоотводов. Между p+-n(n+) слоям выращивают тонкие сильнолегированные слои p+ типа толщиной менее 1 мкм с концентрацией активной приме...

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, диодную структуру из полупроводниковых слоев, просветляющее покрытие, металлические контакты, состоит из множества осажденных на подложке слоев, образующих диодные планарные n+-p-p+ (р+-n-n+); n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Слои одного типа содержат металлические нанокластеры ра...

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках включает подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувс...

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта содержит рабочую поверхность, на которую поступает излучение, полупроводниковую базовую область с одним типом проводим...

Фотоэлектрический модуль солнечного концентрированного излучения относится к гелиотехнике и касается создания солнечных модулей с фотоэлектрическими и тепловыми приемниками и концентраторами солнечного излучения в виде параболоцилиндров. Теплофотоэлектрический модуль с параболоцилиндрическим концентратором солнечного излучения состоит из параболоцилиндрического концентратора и линейчатого фотоэл...

Изобретение может использоваться в гелиотехнике, в частности, в концентраторах солнечной энергии. Концентратор содержит симметричную отражающую поверхность, выполненную в виде фоклина, и прямоугольное выходное окно для размещения приемника излучения, совпадающее с фокальным пятном концентратора. Степень концентрации в каждой точке фокального пятна одинакова. Отражающая поверхность состоит из плоск...