ИВАСАКИ Тацуя (JP)

Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит светоизлучающий элемент с первым и вторым электродами и светоизлучающим слоем, находящимся между первым и вторым электродами, полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, активный слой которого сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3. Также предложены еще два вариант...

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga,...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить св...