Зотов Андрей Вадимович (RU)

Изобретение относится к методам создания металлических нанопроволок на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Изобретение обеспечивает создание нанопроволок, обладающих высокой проводимостью, с возможностью управления местоположением формирования этих нанопроволок. Сущность изобретения: в способе создания проводящих наноп...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно...

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике включает формирование буферного слоя золота моноатомной толщины с образованием упорядоченного двумерного подслоя Si(111)-α√3...