Степченков Виктор Николаевич (RU)

Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в данном солнечном элементе, сформированном на высоколегированной подложке, эмиттер является основной поглощающей и генерирующей носители областью, причем эпитаксиальный эмиттер состоит из двух областей, каждая из которых имеет переменный по...

Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в способе формирования полупроводниковых структур эпитаксиальный слой на ис...