Чубенко Александр Поликарпович (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, и в частности к созданию матричных детекторов релятивистских частиц. Наиболее чувствительными детекторами релятивистских частиц являются пиксельные структуры, построенные на биполярном транзисторе. Технический результат - повышение плотности компоновки пиксельных структур детекторов релятивистских частиц за счет функциональной интеграции усилительной тра...

Изобретение относится к области геофизики, а также к области физики космических лучей и может быть использовано при контроле объемно-напряженного состояния среды (ОНС) в сейсмоопасной области и прогнозе сильных землетрясений. Согласно заявленному решению в дополнение к непрерывному контролю сейсмоакустической эмиссии (САЭ) во внутренних точках среды производят наблюдения в частотно и пространств...

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам излучений. Детектор быстрых нейтронов содержит конвертор быстрых нейтронов и поверхностно-барьерный GaAs сенсор, регистрирующий протоны отдачи, при этом сенсор выполнен на подложке арсенида галлия n-типа проводимости, на рабочей поверхности которого выращен эпитаксиальный слой GaAs высокой чистоты толщиной от 10 до 80 мкм, причем и где d - т...