Приходько Павел Сергеевич (RU)
Изобретатель Приходько Павел Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:
Пиксельная функционально-интегрированная структура детектора
Изобретение относится к микроэлектронике, и в частности к созданию матричных детекторов релятивистских частиц. Наиболее чувствительными детекторами релятивистских частиц являются пиксельные структуры, построенные на биполярном транзисторе. Технический результат - повышение плотности компоновки пиксельных структур детекторов релятивистских частиц за счет функциональной интеграции усилительной тра...
2360327Лезвие офтальмохирургическое
Изобретение относится к медицине и представляет собой лезвие офтальмохирургическое. Лезвие офтальмохирургическое содержит корпус с основанием из монокристаллического кремния и режущую кромку. Основание корпуса и клинообразная режущая кромка покрыты слоями термически выращенного диоксида кремния толщиной (700÷1200) Å и окиси алюминия толщиной (300÷1300) Å. Устройство позволяет увеличить твердость...
2483684Лезвие офтальмохирургическое
Изобретение относится к офтальмологии. Лезвие офтальмохирургическое содержит корпус с основанием из монокристаллического кремния и режущую кромку, основание корпуса и клинообразная режущая кромка покрыты слоями термически выращенного диоксида кремния (SiO2) толщиной (700÷1200)Å и карбида кремния толщиной (200÷500)Å. Устройство позволяет увеличить прочность, износостойкость, контрастность. 1 ил.,...
2484781Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы
Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к фоточувствительным матрицам приемников оптических, рентгеновских излучений и изображений для применения в фотоаппаратах, видеокамерах, сотовых телефонах, медицинских рентгеновских панелях, а также в универсальных твердотельных экранах, способных одновременно как принимать фотоизображение, так его и воспроизводить на этом же эк...
2517917Устройство свч плазменной обработки пластин
Изобретение относится к СВЧ плазменным устройствам для проведения процессов осаждения и травления слоев - металлов, полупроводников, диэлектриков и может быть использовано в технологических процессах создания полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, работающих в экстремальных условиях. Изобретение обеспечивает улучшение равномерности обработки и повышение скорости формирования с...
2539863