Мешкова Ирина Михайловна (RU)
Изобретатель Мешкова Ирина Михайловна (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения бумаги с биоцидными свойствами
Изобретение относится к технологическим процессам производства целлюлозосодержащих материалов, а именно бумаги, обладающей биоцидными свойствами и предназначенной для широкого применения, в том числе, печатной бумаги, ценных бумаг и бумаги санитарно-гигиенического назначения. Осуществляют подготовку бумажной массы. Перед отливом бумажного полотна в бумажную массу вводят биоцид. В качестве биоцид...
2361029Способ обработки нити
Изобретение относится к технологии обработки волокнистых материалов в легкой промышленности. Способ включает импрегнирование нити раствором коллагена с антимикробным веществом и последующую сушку. Для импрегнирования нити используют водную наносистему на основе коллагена с нанодисперсией, по меньшей мере, одного бентонитового порошка, промодифицированного катионами Ag+ и/или Cu2+, при количестве...
2404301Антисептическая мазь наружного применения (2 варианта)
Изобретение относится к антисептическим мазям на основе бентонита, интеркалированного ионами серебра и меди. Антисептическая мазь по первому варианту содержит основу и антисептический агент в виде дисперсного бентонитового порошка интеркалированного ионами Ag+ или/и ионами Cu2+, который получен при модификации водными растворами нитрата серебра или сульфата меди бентонита, предварительно обогащен...
2429820Способ формирования наноструктурированного биосовместимого покрытия на имплантатах
Изобретение относится к области медицины. Описан способ биосовместимого покрытия на поверхностях имплантатов, который заключается в осаждении на поверхность имплантата пленки поликремния в реакторе. Полученную пленку поликремния подвергают химическому травлению для образования наноструктурированного приповерхностного слоя пористого поликремния. Травление пленки поликремния осуществляют при погруж...
2448741Безметальный проявитель позитивного фоторезиста
Настоящее изобретение относится к фотолитографическому процессу формирования рельефных покрытий на функциональных поверхностях подложек для интегральных схем с помощью фоторезиста и, в частности, к безметальному проявителю позитивного фоторезиста. Безметальный проявитель позитивного фоторезиста содержит 1,0-5,0% водный раствор тетраметиламмония гидроксида или триметил(2-гидроксиэтил) аммоний гид...
2484512