Семашко Вадим Владимирович (RU)

Изобретение относится к области материалов электронной техники и может найти применение при создании новых устройств фотоники, квантовой электроники и оптики УФ-диапазона спектра. Лазерное вещество на основе кристалла фторидов лития и лютеция, активированного трехвалентными ионами церия, дополнительно содержит фториды иттрия и иттербия в соответствии с химической формулой LiLu1-xYxYbyF4:Ce, где...

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при создании активированных кристаллических материалов с прогнозируемыми свойствами для нужд фотоники, квантовой электроники и оптики. Оптический материал на основе кристаллов двойных фторидов структуры шеелита получают путем выращивания кристаллов из расплава ингредиентов LiF, YF3, LuF3, LnF3, где Ln - трехвален...

Изобретение относится к области материалов электронной техники и может найти применение при создании новых устройств фотоники, квантовой электроники и оптики УФ-диапазона спектра. В лазерное вещество на основе кристалла фторида бария и иттрия, активированное трехвалентными ионами церия BaY2F8:Ce3+, дополнительно введены ионы иттербия и лютеция в концентрации 0,5-5,0 ат.% и 1-5 ат.%, соответствен...

Изобретение относится к области химии. Техническим результатом является способ создания образцовых мер (стандартных образцов кристаллов) при сохранении гарантированного качества измерения контролируемых показателей кристаллов. В способе измеряют интенсивности аналитической линии рентгенофлуоресценции в исследуемом образце (кристалле) и интенсивности рентгенофлуоресценции той же линии в шихте с из...