Скобелев Алексей Владимирович (RU)
Изобретатель Скобелев Алексей Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по стойкости к радиационному воздействию Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по стойкости к радиационному воздействию](/img/empty.gif)
Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по стойкости к радиационному воздействию
Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по радиационной стойкости. Технический результат - сокращение времени восстановления микросхем, проведение разбраковки по одному параметру, определение реальной стойкости каждой конкретной микросхемы к дозовому воздействию ионизирующего излучения. Сущнос...
2364880![Способ разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства по уровню бессбойной работы Способ разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства по уровню бессбойной работы](/img/empty.gif)
Способ разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства по уровню бессбойной работы
Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) по уровню бессбойной работы (УБР). Технический результат: возможность имитировать импульсное ионизирующее излучение (ИИИ), проводить разбраковку микросхем ОЗУ по параметру «уровень бессбойной работы» в процессе изготовления и определять реальный УБР...
2371731![Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по радиационной стойкости Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по радиационной стойкости](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e4fd20e9d20f03eb5c4d00058908cdb4.jpg)
Способ разбраковки кмоп микросхем, изготовленных на кнд структурах, по радиационной стойкости
Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД ("кремний на диэлектрике") структурах, по радиационной стойкости. Технический результат: не требуется облучение каждой микросхемы источниками радиационного излучения снижение времени и трудозатрат. Сущность: производят облучение статистически значимой выборки микросх...
2444742