Баранов Дмитрий Аркадьевич (RU)
Изобретатель Баранов Дмитрий Аркадьевич (RU) является автором следующих патентов:

Тигель для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
Изобретение относится к тиглям для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Тигель включает корпус из нитрида бора в виде колбы с фланцем в верхней части и покрытие, содержащее пиролитический графит. Фланец выполнен в виде конического раструба. Покрытие нанесено на наружную поверхность конического раструба и выполнено однослойным из пиролитического графита с толщиной слоя 20...
2365842
Электрический контакт нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур
Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сущность изобретения: в электрическом контакте нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур, содержащем контактный винт с гайкой, при этом нагре...
2425431