Лебединский Юрий Юрьевич (RU)

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является формирование ферромагнитного электрода, выполненного в виде свободного перемагничивающегося слоя, в контакте с туннельным барьером с высокой характеристикой гладкости, отсутствием парамагнитной фазы при упрощении метода получения магнитных туннельных пер...

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с уве...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3...

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является упрощение способа, сокращение времени формирования магнитного туннельного перехода и получение высоких значений спин-поляризации за счет использования ферромагнитных полуметаллов в качестве электродов при простоте интеграции в существующую кремниевую техн...

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем. Способ включает формирование на подложке тонкопленочного слоя EuSx путем осаждения в вакууме EuS и серы из разных мишеней и последующий вакуумный отжиг сформированной пленки при температуре, обе...

Изобретение относятся к получению тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств. Способ изготовления тонких пленок стехиометрического моносульфида самария импульсным лазерным осаждением включает осаждение на подложке тонких пленок моносульфида самария в вакууме при комнатной температуре с использ...

Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный сл...