Маркеев А.М.

 Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: в способе получения пленки диоксида кремния на подложке, включающем подготовку поверхности подложки путем обработки ее в газовых реагентах при воздействии УФ-излучения с длиной волны 185, 254 нм и температуре 200-250oC и последующее осаждение в едином технологическом цикле пленки диоксида кр...