Горлов М.И.
Изобретатель Горлов М.И. является автором следующих патентов:
Устройство для контроля электростатических разрядов
Изобретение, содержащее тестовую ячейку с установленным в ней диодом, один из выводов которого соединен с землей, и отличающееся тем, что в ячейку введен дополнительный диод с заданной величиной напряжения повреждения и соединенный параллельно с первым, а тестовая ячейка (ТЯ) через дополнительную контактную площадку подключена к свободному выводу микросхемы. Описанная ТЯ позволяет определ...
2116687Способ разбраковки ис
Изобретение относится к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС). Технический результат заключается в повышении надежности, который достигается за счет того, что объект испытаний подвергают термоциклированию и регистрируют зависимость изменения информативного параметра (критического напряжения питания) от величины внешнего воздействия (температуры). На основе сравнения зависимос...
2143704Способ отбраковки интегральных схем
Изобретение относится к области производства и эксплуатации интегральных схем (ИС). Способ отбраковки ИС, в том числе и на пластине, в соответствии с которым объект испытаний подвергают воздействию внешнего фактора, получают изменение информативного параметра, по величине которого делают вывод о годности объекта испытаний. На ИС подают единичный импульс электростатического разряда напряже...
2146827Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий
Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для группового контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий. Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий содержит механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных нап...
2186366Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии
Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии относится к области электротехники и может быть использован для контроля надежности транзисторов по критериям стойкости к электростатическому разряду (ЭСР) и температурному отжигу, а также для повышения достоверности других способов контроля и отбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изго...
2204142Способ разбраковки биполярных транзисторов
Способ разбраковки биполярных транзисторов относится к области электротехники, в частности для отбраковки биполярных транзисторов по критериям: надежность и стойкость к электростатическим разрядам, а также для повышения достоверности других методов отбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Разбраковка включ...
2204143Способ отбраковки интегральных схем
Использование: для отбраковки загерметизированных интегральных схем. Сущность изобретения: интегральные схемы подвергают воздействию внешнего фактора, в данном случае циклическому воздействию повышенной и пониженной температуры, получают изменение информативного параметра, по величине которого делают вывод о наличии коррозии алюминиевой металлизации на кристалле. При этом время выдержки и...
2217843Микроэлектронный датчик влажности поверхностно- конденсационного типа
Использование: в области производства интегральных схем (ИС) для контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме как в процессе их производства, так и при испытаниях и на входном контроле. Сущность изобретения: микроэлектронный датчик влажности поверхностно-конденсационного типа для контроля содержания влаги в подкорпусном объеме ИС содержит на пластине кремния сдвоенный термодатчик...
2224246Способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов
Использование: при сравнительной оценке надежности партии приборов как на этапе производства, так и применения. Сущность изобретения: проводят испытание партий транзисторов на электростатический разряд. На выбранные приборы подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, повышая его ступенчато на 20-30 В до появления параметрических или...
2226698