ОДНОБЛЮДОВ Максим (FI)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. Полупроводниковая подложка (1) по настоящему изобретению выполнена из нитридов металлов III группы, имеющих кристаллическую структуру вюрцита, и выращена в паровой фазе либо на инородной подложке (2) с ориентацией (0001), с параметрами решетки, не соотв...

Напряженная полупроводниковая гетероструктура содержит инжекционную область, включающую первый эмиттерный слой, имеющий проводимость р-типа, и второй эмиттерный слой, имеющий проводимость n-типа, а также слой генерации света, расположенный между первым эмиттерным слоем и вторым эмиттерным слоем. Между слоем генерации света и вторым эмиттерным слоем расположена область захвата электронов, которая...

Изобретение касается полупроводниковой гетероструктуры для светоизлучающих устройств, в частности, структуры, сформированной из полупроводниковых материалов с рассогласованием кристаллической решетки. Напряженная полупроводниковая гетероструктура (10) содержит инжекционную область, включающую первый эмиттерный слой (11) и второй эмиттерный слой (12), а также слой (13) генерации света, расположенн...