ЛАНГ Теему (FI)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. Полупроводниковая подложка (1) по настоящему изобретению выполнена из нитридов металлов III группы, имеющих кристаллическую структуру вюрцита, и выращена в паровой фазе либо на инородной подложке (2) с ориентацией (0001), с параметрами решетки, не соотв...