Гусев Анатолий Владимирович (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений. Способ включает выращивание монокристаллов изотопнообогащенного кремния на монокристаллическую затравку длиной...

Изобретение относится к технологии неорганических соединений. Способ получения высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния проводят двухстадийным диспропорционированием хлорсиланов на анионообменной смоле. На первой стадии проводят диспропорционирование трихлорсилана, предварительно очищенного от тетрахлорида кремния в первой ректификационной колонне, с получением преимущественно дихлорсилана...