Гавва Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений. Способ включает выращивание монокристаллов изотопнообогащенного кремния на монокристаллическую затравку длиной...

Изобретение относится к области получения высокочистых веществ и касается разработки способа получения изотопнообогащенного германия, который может быть использован в микроэлектронике, ИК-оптике, нанофотонике, фундаментальных физических исследованиях. Исходным соединением для получения моноизотопных 72Ge, 73Ge, 74Ge, 76Ge является обогащенный одним изотопом германия моногерман, полученный в обога...