Бубукин Борис Михайлович (RU)

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки. Сущность изобретения: в транзисторе с ограничением тока, содержащем подложку, имеющую первую и вторую противолежащи...

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к высоковольтным полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: в периферии полупроводникового прибора, содержащей периферийный P-N-переход кольцевого типа, покрытый диэлектрической пленкой и окруженный над диэлектрической пленкой спиральной токопроводящей пленкой с диодами Зенера, концы спирали подсоединены к Р-...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП-транзисторам. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии без увеличения размеров кристалла и повышение быстродействия без ухудшения других характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем форм...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым ДМОП-транзиторам. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем сток, исток, состоящий из транзисторных ячеек и периферийного p-n перехода, расположенных под электродом-затвором, а также из металлического электрода истока, расположенного над электродом-затвором, п...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают мето...

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной...