Саполетова Нина Александровна (RU)

Изобретение относится к области получения пленок фотонных кристаллов. Формирование пленок фотонных кристаллов осуществляют путем осаждения монодисперсных микросфер коллоидных частиц из суспензии на расположенные вертикально в ней проводящие подложки, при этом в качестве монодисперсных микросфер используют коллоидные частицы из полистирола, полиметилметакрилата или оксида кремния, а осаждение осу...

Изобретение относится к химии, наукам о материалах, нанотехнологиям, к технологии создания сверхрешеток нанокристаллов. Способ формирования пленки сверхрешетки нанокристаллов основан на осаждении монодисперсных нанокристаллов из коллоидных растворов концентрацией 1013-1018 шт/мл на проводящие подложки, закрепленные вертикально или под углом 30-90° к поверхности раствора с приложением к подложкам...

Изобретение относится к области нанотехнологии, описывает способ электрохимического структурирования поверхности материалов и может быть использовано при изготовлении элементов микроэлектроники, однослойных и многослойных печатных плат, оптических элементов, а также других тонкопленочных структур. Сущность изобретения заключается в проведении гальванической обработки материала при одновременном...

Изобретение относится к области магнитофотоники. Способ усиления магнитооптического эффекта Керра путем формирования магнитного фотонного кристалла с периодически структурированной поверхностью магнетика, при котором морфология поверхности магнитного фотонного кристалла определяется уровнем среза плотнейшей гранецентрированной кубической упаковки микросфер в плоскости <111> в пределах слоя...