PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Батурин Иван Сергеевич (RU)

Изобретатель Батурин Иван Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в...

2371746

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими э...

2411561

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика

Изобретение относится к нелинейной оптике. Способ может быть использован для формирования доменной структуры в соответствии с заданным рисунком, например периодической полосовой доменной структуры, в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика, например, ниобата лития или танталата лития, а также легированного MgO ниобата лития или танталата лития. Способ включает воздейст...

2439636

Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой

Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой

Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с доменной структурой и может быть использовано при создании устройств позиционирования, акустоэлектроники, для модификации диэлектрических, пироэлектрических и оптических свойств. Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой заключается в том, что в качестве заготовки...

2485222

Способ изготовления безгистерезисного актюатора с линейной пьезоэлектрической характеристикой

Способ изготовления безгистерезисного актюатора с линейной пьезоэлектрической характеристикой

Изобретение относится к области изготовления устройств точного позиционирования на основе пьезоэлектрических актюаторов, характеризующихся широким интервалом рабочих температур, в частности для изготовления прецизионных безгистерезисных сканеров сканирующих зондовых микроскопов и устройств юстировки оптических систем. Сущность: способ включает соединение плоскостями по меньшей мере двух монодоме...

2539104