PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шашурин Василий Дмитриевич (RU)

Изобретатель Шашурин Василий Дмитриевич (RU) является автором следующих патентов:

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372691

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...

2372692

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372693

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...

2372694

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выпо...

2412897


Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, вып...

2412898

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3,...

2415494

Способ изготовления термоэлектрического модуля с увеличенным сроком службы

Способ изготовления термоэлектрического модуля с увеличенным сроком службы

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению. Сущность: на поверхности ветвей термоэлектрического модуля, сопрягаемые с контактными пластинами, наносят барьерное покрытие, препятствующее диффузии материалов припоя и контактных пластин в материал полупроводника. Покрытие наносят методом вакуумного напыления из сепарированной электродуговой плазмы после плазмохимического травления в...

2425434

Преобразователь энергии электромагнитной волны свч-диапазона в постоянное напряжение

Преобразователь энергии электромагнитной волны свч-диапазона в постоянное напряжение

Изобретение относится к технике дистанционной передачи и преобразования сверхвысокочастотной электромагнитной энергии в электрическую энергию постоянного тока и может применяться в выпрямителях малой мощности. Преобразователь энергии электромагнитной волны СВЧ-диапазона в постоянное напряжение содержит антенну и выпрямитель, имеющий N ступеней умножения напряжения и содержащий 2·N либо 4N вентиль...

2443050

Износостойкое сопло для формирования режущей абразивно-жидкостной струи

Износостойкое сопло для формирования режущей абразивно-жидкостной струи

Изобретение относится к устройствам для получения высоконапорной режущей струи абразивно-жидкостной смеси. В износостойком сопле установлены одна или несколько волногасящих насадок с кольцевыми выступами игольчатой формы, наиболее эффективно рассеивающими волны упругой деформации, образующиеся при прохождении по каналу сопла абразивно-жидкостной суспензии. Эти насадки посажены с натягом и встык н...

2465064


Способ гидроабразивной резки листового металлического материала

Способ гидроабразивной резки листового металлического материала

Изобретение относится к гидроабразивной резке листового металлического материала. Осуществляют подачу листового металлического материала или струйной головки. Обеспечивают точечный фокусированный нагрев зоны резания листового металлического материала внешним источником фокусированного нагрева до температуры, меньшей температуры фазовых превращений разрезаемого материала. Затем осуществляют удар в...

2475350

Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур

Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур

Использование: для определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (РТД) на основе многослойных AlGaAs (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур заключ...

2606174

Устройство для перемешивания концентрата тромбоцитов или тромбоцитосодержащих трансфузионных сред

Устройство для перемешивания концентрата тромбоцитов или тромбоцитосодержащих трансфузионных сред

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано на станциях переливания крови, в больницах, клиниках и научно-исследовательских медицинских учреждениях. Устройство для перемешивания концентрата тромбоцитов или тромбоцитосодержащих трансфузионных сред содержит корпус 1 с крышкой 2, подвижную платформу 3 с размещенными на ней контейнерами с концентратом тромбоцитов или...

2639827