Гармаш Виктор Федосеевич (RU)
Изобретатель Гармаш Виктор Федосеевич (RU) является автором следующих патентов:
![Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a42e03fe75616c2caa250eb7838339d2.jpg)
Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...
2372691![Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c260c88e0aed70a3df15a46e93bb55ce.jpg)
Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...
2372692![Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод](https://img.patentdb.ru/i/200x200/12fe9e1530e3917995aafa34bb450e98.jpg)
Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...
2372693![Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7a1076d717f0645284401663d8903a63.jpg)
Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...
2372694