PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Гармаш Виктор Федосеевич (RU)

Изобретатель Гармаш Виктор Федосеевич (RU) является автором следующих патентов:

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372691

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...

2372692

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372693

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...

2372694