Мельник Юрий Андреевич (RU)

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике. Источник быстрых нейтральных атомов содержит рабочую вакуумную камеру, эмиссионную сетку, ограниченный эмиссионной сеткой и соединенный с ней электрически холодный полый катод, боковая поверхность которого перпендикулярна эмиссионной сетке, анод, источник питания разряда, положительным полюсом соединенный с анодом, а отрицательным полюсом соед...

Изобретение относится к способам нагрева изделий в плазме и может быть использовано, в частности, для нагрева изделий из различных, в том числе диэлектрических, материалов перед осаждением на них покрытий или при химико-термической обработке. Способ включает установку изделия внутри рабочей камеры, вакуумирование камеры, напуск в камеру рабочего газа, зажигание тлеющего разряда с получением газов...

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла преимущественно для осаждения тонких металлических пленок на диэлектрические подложки в вакуумной камере, и к источникам быстрых атомов и молекул газа. Установка содержит вакуумную камеру 1, эмиссионную сетку из осаждаемого металла 2, полый катод 3, анод 4, источник питания разряда 5, источник ускоряющего н...

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла, преимущественно для синтеза на изделиях в вакуумной камере износостойких нанокомпозитных покрытий, и к источникам быстрых молекул газа, преимущественно для очистки и нагрева изделий перед синтезом покрытий для повышения их адгезии к изделию, а также для бомбардировки быстрыми молекулами поверхности покрыт...

Изобретение относится к области обработки поверхности инструментальных материалов и может быть использовано для создания покрытия в виде пленки нитрида титана на твердосплавных подложках, таких как режущие пластины, предназначенных для обработки труднообрабатываемых материалов. Способ включает очистку поверхности пластин бомбардировкой ионами и последующее напыление TiN на поверхность пластин п...

Изобретение относится к области машиностроения, в частности к устройствам для синтеза и осаждения износостойких покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство содержит вакуумную камеру, планарный магнетрон с плоской мишенью и источник питания разряда, соединенный положительным полюсом с вакуумной камерой и отрицательным полюсом с мишенью. На камере установлен и электрически соединен с не...

Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для синтеза и осаждения металлических покрытий на токопроводящих изделиях в вакуумной камере. Устройство для синтеза и осаждения металлических покрытий на токопроводящих изделиях содержит рабочую камеру с каналом вакуумной откачки, плоские мишени планарных магнетронов на стенках камеры, источники электропитания магнетронных разряд...

Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для осаждения износостойких покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство для осаждения покрытий на изделиях 3 содержит рабочую вакуумную камеру 1, мишени 4-7 планарных магнетронов на стенках камеры, источники питания 8-11 магнетронных разрядов, отрицательными полюсами соединенные с мишенями, дополнительный изолированный от ка...

Изобретение относится к устройству для синтеза покрытий на изделиях. Устройство содержит рабочую вакуумную камеру, размещенный на дне камеры тигель со слитком испаряемого металла внутри него, держатель подложки, источник напряжения смещения и источник питания разряда. Источник напряжения смещения соединен отрицательным полюсом с держателем подложки, а источник питания разряда соединен отрицат...

Изобретение относится к устройству для синтеза покрытий на диэлектрических изделиях. Устройство содержит рабочую камеру, устройство планетарного вращения изделий, установленное внутри камеры с образованием зоны вращения изделий, мишени планарных магнетронов на стенках камеры, источники их электропитания, соединенные отрицательными полюсами с мишенями, а положительными полюсами - с камерой, дополни...