ВИРТ Александра (DE)

Изобретение относится к получению барьерного слоя полупроводникового элемента для предотвращения диффузии меди, нанесенной в качестве материала электропроводки. Способ включает нанесение обесточенным осаждением на каталитически активированные изоляционные слои комбинированного диффузионного барьера и зародышеобразующего слоя, состоящих из сплавов NiRe-P, NiMo-P, NiW-P, NiRe-B, NiMo-B, NiW-B, NiR...