PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Семенова Ольга Ивановна (RU)

Изобретатель Семенова Ольга Ивановна (RU) является автором следующих патентов:

Устройство для определения пористых характеристик тонких слоев (варианты)

Устройство для определения пористых характеристик тонких слоев (варианты)

Устройство для определения пористых характеристик тонких слоев относится к микроэлектронике, катализу, биохимии. Устройство содержит поляризатор и анализатор быстродействующего лазерного эллипсометра. Также устройство содержит столик для крепления образцов и сопла для подачи парогазовой смеси непосредственно в зону эллипсометрических измерений. Причем указанные детали закреплены на жесткой раме....

2374625

Фотоэлектрический преобразователь (варианты) и способ его изготовления (варианты)

Фотоэлектрический преобразователь (варианты) и способ его изготовления (варианты)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит участки с n+-р (р+-n)-переходом, покрытые металлическими контактами, а на фоточувствительной поверхности - базовую область р- или n-типа проводимости, с нанесенной пассивирующей просветляю...

2419180

Способ получения канальной матрицы

Способ получения канальной матрицы

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и ф...

2428763

Способ получения кремниевой канальной матрицы

Способ получения кремниевой канальной матрицы

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы в...

2433502