Чепа Алексей Васильевич (RU)

Полупроводниковый фотопреобразователь содержит на рабочей поверхности антиотражающее покрытие, диодную структуру с n+-p (p+-n)-переходом, изотипным p-p+ (n-n+)-переходом в базовой области на тыльной поверхности, металлические контакты к обоим областям диодной структуры. Толщина базовой области соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области. Диодная структура выполне...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования интенсивных потоков излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь содержит базовую область, выполненную из полупроводникового материала р- или n-типа проводимости, диодные структуры с n+-p (p+-n) переходами на рабочей...