Хвостикова Ольга Анатольевна (RU)

При изготовлении фотопреобразователя на подложке германия n-типа выращивают пассивирующий слой GaAs методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии при быстром охлаждении раствора-расплава. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии р-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в...

При изготовлении фотоэлектрического элемента на основе германия наносят на лицевую поверхность подложки из монокристаллического германия n-типа диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии p-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере в окна поверхностный слой германия. Удаляют на тыльной сторо...

Способ изготовления фотовольтаического преобразователя включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски, формирование на открытых участках фронтальной поверхности подложки высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы, удаление со стороны фронтальной поверхности анодным окислением с последующим травлением в соляной кислоте части в...

Изобретение относится к области изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, позволяющих преобразовывать мощное узкополосное излучение в электрическую энергию для энергоснабжения наземных и космических объектов. Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs буферного слоя...

При изготовлении фотопреобразователя согласно изобретению на тыльной стороне подложки GaSb n-типа проводимости выращивают методом эпитаксии высоколегированный контактный слой n+-GaSb, а на лицевой стороне подложки - буферный слой n-GaSb. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке. Легируют диффузией цинка из газово...

Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlxGa1-xAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в приповерхностной области слоя, при этом выращивание слоя p-AlGaAs ведут при температуре 600-730°С в течение...