Рощин Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к стендовой рекламе, торговле, выставочному делу и программно-аппаратным комплексам для указанных целей. Система управления движением потоков людей выполнена в виде управляющего компьютера и, по меньшей мере, одного интерактивного программируемого стенда с интерактивной проекционной системой предоставления информации и системами 3D-визуализации и распознавания зрителей-учас...

Изобретение относится к рекламе, торговле, выставочному делу и другим сферам деятельности, в которых необходимо индивидуализированное воздействие на аудиторию в зависимости от пола и возраста людей. Рекламно-выставочная система выполнена в виде интегрированных систем SD-визуализации и распознавания. Она имеет компьютер и средство отображения для формирования виртуального изображения на экранах,...

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а именно к получению тонких пленок карбида вольфрама. Сущность изобретения: способ формирования тонких пленок карбида вольфрама включает нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку и карботермический синтез, причем тонкую пленку вольфрама наносят импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синт...

Изобретение относится к способу формирования защитного покрытия в виде пленки некристаллического углерода и может быть использовано в микро- и радиоэлектронной промышленности при изготовлении защитных покрытий полупроводниковых и оптических приборов. На полупроводниковой подложке формируют защитное покрытие методом импульсной конденсации электроэрозионной дуговой углеродной плазмы с энергией...

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама включает нанесение на полупроводниковую или диэлектрическую подложку в процессе импульсно-плазменного осаждения на двуканальной установке импульсного осаждения электроэрозионной дуговой плазмы двухслойной структуры покрытия суммарной толщиной 5 нм, состоящей из пленки воль...

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3-D монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления вертикальных контактных структур, повышение их качества и повышение количества получае...