Голубков Сергей Александрович (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: при изготовлении детектора короткопробежных частиц легируют ионной имплантацией в окно поверхностный слой кремния на стороне p-n перехода примесью p-типа, а на омической стороне примесью n-типа дозой 1015-1016 при энергии ионов 500-2000 кэВ, отжигают имплантированные слои при температуре 850-950°С в течение 1-2 часов. Затем...

Использование: для преобразования воздействия ионизирующего излучения в электрический сигнал. Сущность изобретения заключается в том, что на полированной пластине, вырезанной из слитка сверхчистого кремния n-типа проводимости формируется сенсор, для чего последовательно производятся первая химическая отмывка пластины в растворе поверхностно активных веществ, содержащих комплексоны, формирование...