Шматов Николай Иванович (RU)
Изобретатель Шматов Николай Иванович (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения полупроводниковых кристаллов типа aiibvi
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения полупроводниковых кристаллов из расплавов для создания структурно-совершенных монокристаллических подложек, и может быть использовано при формировании эпитаксиальных структур и приготовлении рабочих тел электрооптических модуляторов, работающих в ИК-области спектра. Способ осуществляют методом вертик...
2380461