Скипер Андрей Владимирович (RU)

Для достижения названного технического результата выполняют следующие технологические операции: выращивают на ростовой подложке тонкую эпитаксиальную лазерную р-n-гетероструктуру с широкозонными эмиттерами, волноводным переизлучающим слоем и тонкой активной областью, в качестве которой могут использоваться квантовые ямы, изготавливают омические контакты на свободной поверхности р-n-гетерострукту...