Бирюкова Ирина Викторовна (RU)

Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития. На монокристалле танталата лития путем шлифовки формируют контактную площадку, поверхность которой перпендикулярна оптической оси кристалла или имеет с ней острый уг...

(57) Изобретение относится к способу получения соединений редких элементов, в частности шихты ниобата лития, которая может быть использована для выращивания монокристаллов методом вытягивания из расплава. В высокочистый ниобийсодержащий раствор вводят оксид магния в количестве, обеспечивающем его содержание 3-6 мол.% в шихте ниобата лития, согласно соотношению Nb2O5:MgO=1:0,0091-0,0186. В получе...