Чикичев Сергей Ильич (RU)

Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем у базового материала, и слоев базового материала (спейсеров), разделяющих слои нанооб...

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и тонких слоев пленок. Эллипсометр содержит поляризатор, подставку для исследуемого образца и фоторегистратор. Поляризатор выполнен в виде полупроводникового одномодового лазера с вертикальным резонатором со стабилизированной...