Серушкин Константин Ильич (RU)
Изобретатель Серушкин Константин Ильич (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения гидрофильного капиллярно-пористого материала
Изобретение относится к области изготовления гидрофильных капиллярно-пористых полимерных материалов и может быть использовано в косвенно-испарительных системах охлаждения воздуха. Способ включает спекание порошкообразного сверхвысокомолекулярного полиэтилена и гидрофилизацию полученного материала водным раствором фторсодержащего поверхностно-активного вещества «Флактонит К-9». Изобретение обеспеч...
2383561
Безметальный проявитель позитивного фоторезиста
Настоящее изобретение относится к фотолитографическому процессу формирования рельефных покрытий на функциональных поверхностях подложек для интегральных схем с помощью фоторезиста и, в частности, к безметальному проявителю позитивного фоторезиста. Безметальный проявитель позитивного фоторезиста содержит 1,0-5,0% водный раствор тетраметиламмония гидроксида или триметил(2-гидроксиэтил) аммоний гид...
2484512
Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин
Изобретение относится к составам селективных полирующих травителей, используемых в процессах химического утонения эпитаксиальных кремниевых пластин при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технический результат заключается в достижении высокой стабильности процесса травления и высокого качества полированной поверхности создаваемой кремниевой мембраны. Состав селективно...
2615596