Ирха Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность изобретения: способ выращивания слоев оксида цинка из сублимирующегося источника паров осуществляют зонной сублимационной перекристаллизацией в две стадии - на плоской подложке с оптически гладкой поверхностью формируют сло...

Изобретение относится к области сканирующей зондовой микроскопии. Способ изготовления СЗМ-наносенсоров основывается на методе электрон-стимулированного роста и осуществляется в три стадии. На кремниевом или металлическом держателе-основании электронным лучом из кремнийсодержащего газа-прекурсора формируют V-образный силиконовый кантилевер, на остром конце которого таким же образом из углеродсодер...

Изобретение относится к технологии устройств нано- и микроэлектроники, нанофотоники. Сущность изобретения заключается в получении многослойной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных гидрогенизированных слоев микрокристаллического кремния µc-Si:H(i) и двуокиси кремния µc-SiO2(n), µc-SiO2(p) плазмохимическим осаждением с горячей нитью при температур...