Валеев Ришат Галеевич (RU)
Изобретатель Валеев Ришат Галеевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения наноструктур полупроводника
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано для получения упорядоченного массива наночастиц полупроводников на основе мезапористых твердофазных матриц. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур полупроводника, включающем формирование пористой матрицы из оксидов металлов или неметаллов с последующим осаждением в...
2385835Способ получения полупроводниковой наноструктуры
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для синтеза массивов пространственно-упорядоченных наночастиц полупроводников. Сущность изобретения: способ получения полупроводниковой наноструктуры включает осаждение на пористой матрице первого полупроводникового материала, удаление пористой матрицы, осаждение второго полупроводникового материала на полученную структуру первого п...
2460166Детектор излучения
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано при изготовлении детекторов электромагнитного излучения, преимущественно оптического, с наноструктрированным поглощающим (фоточувствительным) слоем. Детектор излучения снабжен прозрачными контактами и контактами основы, между которыми расположен массив наногетероструктурных элеме...
2517802Катод для электролиза
Изобретение относится к катоду для электролиза, содержащему покрытие из никеля толщиной 300-1000 нм, нанесенное методом магнетронного распыления на матрицу пористого оксида алюминия с размерами пор 40-120 нм и расстоянием между стенками пор 10-20 нм. Техническим результатом является повышение площади контакта материала катода с электролитом и повышение адгезии каталитического покрытия к подложке,...
2621029