Васенков Александр Анатольевич (RU)

 Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник. Сущность: способ включает анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины. При этом перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы...

Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем проти...

Изобретение относится к твердотельным детекторам нейтронов. В твердотельный интегральный однокристальный детектор нейтронов, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне и расположенные последовательно друг на друге на ее лицевой стороне следующие слои: изотипный подложке полупроводниковый слой, полупроводниковый высокоомный слой, полупроводниковый слой противо...