Поломошнов Сергей Александрович (RU)
Изобретатель Поломошнов Сергей Александрович (RU) является автором следующих патентов:
![Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4d0e6aa016fc68437fc572d8470e56de.jpg)
Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора на монокристаллической подложке кремния состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора и сопротивлений нагруз...
2387046![P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/970d24f6c5a444de2df45f41d82afb0b.jpg)
P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного излучения - полупроводниковый прибор для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно н...
2408955![Планарный магнитотранзисторный преобразователь Планарный магнитотранзисторный преобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/199bea48c3287b06789a5cf40801ca90.jpg)
Планарный магнитотранзисторный преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Планарный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к...
2422943![Магниторезистивный датчик Магниторезистивный датчик](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9317d6ca65c8db3ee65bc98e42b49ab1.jpg)
Магниторезистивный датчик
Изобретение может быть использовано для измерения магнитного поля в измерительных комплексах, научном и медицинском приборостроении, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий, вирусов, токсинов и ДНК). Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками че...
2433507![Интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик Интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5b0de8d9db2b48ea53f1f37732b42adc.jpg)
Интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик содержит два чувствительных элемента, два усилителя, выполненные в виде двух токовых зеркал на МОП транзисторах и схему сравнения с двумя входами. Чувствительные элементы с усилителями выполнены в виде интегральных токомагнитных датчиков на основе биполярных магнитотра...
2453947![Микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем Микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e073f3b664b076eb2444b48c95dbbe1c.jpg)
Микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем
Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей способности. Технический результат достигается благодаря тому, что микроэлектромеханический датчик микро...
2506546![Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа](https://img.patentdb.ru/i/200x200/841a1b86254046aed68a711dd995b2f4.jpg)
Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления электростатического силового микроэлектромеханического ключа, в котором формируется плоскопараллельное соединение поверхности кремниевого кристалла и печатной платы за счет сформированного микрорельефа на соединяемой поверхности кремниевого кристалла с использованием проводящего клеевого соединения. Обеспечение з...
2527942