Беккерман Дмитрий Юрьевич (RU)
Изобретатель Беккерман Дмитрий Юрьевич (RU) является автором следующих патентов:
Мощный полупроводниковый резистор-шунт и способ его изготовления
Изобретение относится к конструированию и технологии изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности резисторов-шунтов, характеризующихся низким значением номинального сопротивления 0,2÷1 мОм с пониженной температурной зависимостью сопротивления в рабочем интервале температур. Техническим ре...
2388113